BYC8B-600PQP

DIODE GEN PURP 600V 8A
BYC8B-600PQP P1
BYC8B-600PQP P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

NXP USA Inc. ~ BYC8B-600PQP

Artikelnummer
BYC8B-600PQP
Hersteller
NXP USA Inc.
Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 8A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Dioden - Gleichrichter - Einzeln
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Produktparameter

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Artikelnummer BYC8B-600PQP
Teilstatus Active
Dioden-Typ Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 8A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 3.4V @ 8A
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 18ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr 20µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F -
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Lieferantengerätepaket D2PAK
Betriebstemperatur - Kreuzung 175°C (Max)

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