BFG10,215

TRANS RF NPN 2GHZ 8V SOT143
BFG10,215 P1
BFG10,215 P2
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

NXP USA Inc. ~ BFG10,215

Artikelnummer
BFG10,215
Hersteller
NXP USA Inc.
Beschreibung
TRANS RF NPN 2GHZ 8V SOT143
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
BFG10,215.pdf BFG10,215 PDF online browsing
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - HF
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Produktparameter

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Artikelnummer BFG10,215
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 8V
Frequenz - Übergang 1.9GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f) -
Gewinnen 7dB
Leistung max 400mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 25 @ 50mA, 5V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 250mA
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-253-4, TO-253AA
Lieferantengerätepaket SOT-143B

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