A2V07H525-04NR6

AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR
A2V07H525-04NR6 P1
A2V07H525-04NR6 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

NXP USA Inc. ~ A2V07H525-04NR6

Artikelnummer
A2V07H525-04NR6
Hersteller
NXP USA Inc.
Beschreibung
AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - HF
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Produktparameter

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Artikelnummer A2V07H525-04NR6
Teilstatus Active
Transistor-Typ LDMOS
Frequenz 595MHz ~ 851MHz
Gewinnen 17.5dB
Spannung - Test 48V
Aktuelle Bewertung 10µA
Rauschzahl -
Aktueller Test 700mA
Leistung 120W
Spannung - Bewertet 105V
Paket / Fall OM-1230-4L
Lieferantengerätepaket OM-1230-4L

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