A2T18H455W23NR6

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
A2T18H455W23NR6 P1
A2T18H455W23NR6 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

NXP USA Inc. ~ A2T18H455W23NR6

Artikelnummer
A2T18H455W23NR6
Hersteller
NXP USA Inc.
Beschreibung
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - HF
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Produktparameter

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Artikelnummer A2T18H455W23NR6
Teilstatus Active
Transistor-Typ LDMOS
Frequenz 1.805GHz ~ 1.88GHz
Gewinnen 14.5dB
Spannung - Test 31.5V
Aktuelle Bewertung 10µA
Rauschzahl -
Aktueller Test 1.08A
Leistung 56dBm
Spannung - Bewertet 65V
Paket / Fall OM-1230-4L2S
Lieferantengerätepaket OM-1230-4L2S

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