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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | PSMN5R6-100YSFX |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 158A |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 10V |
| Vgs (Max) | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 294W |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | LFPAK56, Power-SO8 |
| Paket / Fall | SOT-1023, 4-LFPAK |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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PSMN5R0-100ES,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK | 4316 | Einzelheiten | |
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PSMN5R0-100PS,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB | 3848 | Einzelheiten | |
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PSMN5R0-100XS,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 67.5A TO-220F | - | 0 | Einzelheiten |
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PSMN5R0-30YL,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 91A LFPAK | 6000 | Einzelheiten | |
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PSMN5R0-80BS,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK | 4000 | Einzelheiten | |
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PSMN5R0-80PS,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB | 0 | Einzelheiten | |
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PSMN5R2-60YLX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V LFPAK56 | 1500 | Einzelheiten | |
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PSMN5R3-25MLDX | Nexperia USA Inc. | PSMN5R3-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q | 0 | Einzelheiten | |
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PSMN5R4-25YLDX | Nexperia USA Inc. | PSMN5R4-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1 | 0 | Einzelheiten | |
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PSMN5R5-60YS,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK | 4500 | Einzelheiten | |
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PSMN5R6-100BS,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK | 4000 | Einzelheiten | |
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PSMN5R6-100PS,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB | 0 | Einzelheiten |