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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | PSMN012-100YLX |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 85A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 11.9 mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 118nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7973pF @ 25V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 238W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | LFPAK56, Power-SO8 |
| Paket / Fall | SC-100, SOT-669 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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PSMN003-30B,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK | 0 | Einzelheiten | |
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PSMN003-30P,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB | 0 | Einzelheiten | |
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PSMN004-36B,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 36V 75A D2PAK | 0 | Einzelheiten | |
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PSMN004-55W,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 100A SOT429 | 0 | Einzelheiten | |
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PSMN004-60B,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK | 3200 | Einzelheiten | |
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PSMN004-60P,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB | - | 0 | Einzelheiten |
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PSMN005-25D,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 25V 75A DPAK | 0 | Einzelheiten | |
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PSMN005-30K,518 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 20A SOT96-1 | 0 | Einzelheiten | |
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PSMN005-55B,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | - | 0 | Einzelheiten |
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PSMN005-55P,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB | - | 0 | Einzelheiten |
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PSMN005-75B,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK | 0 | Einzelheiten | |
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PSMN005-75P,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB | 0 | Einzelheiten |