PRMH10Z

PRMH10/SOT1268/DFN1412-6
PRMH10Z P1
PRMH10Z P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Nexperia USA Inc. ~ PRMH10Z

Artikelnummer
PRMH10Z
Hersteller
Nexperia USA Inc.
Beschreibung
PRMH10/SOT1268/DFN1412-6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
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Produktparameter

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Artikelnummer PRMH10Z
Teilstatus Active
Transistor-Typ 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 250µA, 5mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100nA
Frequenz - Übergang 230MHz
Leistung max 480mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-XFDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket DFN1412-6

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