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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | PMT200EPEX |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 70V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 2.4A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 167 mOhm @ 2.4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 15.9nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 822pF @ 35V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 800mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SC-73 |
| Paket / Fall | TO-261-4, TO-261AA |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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PMT200EN,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73 | - | 0 | Einzelheiten |
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PMT200EN,135 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73 | - | 0 | Einzelheiten |
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PMT200EPEAX | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CHANNEL 70V 2.4A SC73 | - | 7232 | Einzelheiten |
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PMT200EPEX | Nexperia USA Inc. | PMT200EPE/SOT223/SC-73 | - | 270918 | Einzelheiten |
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PMT20G | Carlo Gavazzi Inc. | SENSOR THROUGH-BEAM 20M | - | 263 | Einzelheiten |
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PMT20I | Carlo Gavazzi Inc. | SENSOR THROUGH-BEAM 20M RELAY | - | 633 | Einzelheiten |
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PMT20IM | Carlo Gavazzi Inc. | SENSOR THROUGH-BEAM 20M MUTE | - | 553 | Einzelheiten |
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PMT20RG | Carlo Gavazzi Inc. | SENSOR THROUGH-BEAM 20M | - | 253 | Einzelheiten |
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PMT20RGT | Carlo Gavazzi Inc. | SENSOR THROUGH-BEAM 20M | - | 182 | Einzelheiten |
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PMT20RI | Carlo Gavazzi Inc. | SENSOR THROUGH-BEAM 20M RELAY | - | 344 | Einzelheiten |
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PMT20RIM | Carlo Gavazzi Inc. | SENSOR THROUGH-BEAM 20M MUTE | - | 341 | Einzelheiten |
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PMT20RIT | Carlo Gavazzi Inc. | SENSOR THROUGH-BEAM 20M | - | 304 | Einzelheiten |