Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | PMPB85ENEA/FX |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 4.4A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 95 mOhm @ 3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 9.2nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 305pF @ 30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 1.6W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 6-DFN2020MD (2x2) |
| Paket / Fall | 6-UDFN Exposed Pad |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
PMPB85ENEA/FX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 4.4A 6DFN2020MD | - | 344889 | Einzelheiten |
 |
PMPB85ENEAX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 3A SOT1220 | 0 | Einzelheiten |