JAN1N1190R

DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
JAN1N1190R P1
JAN1N1190R P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Microsemi Corporation ~ JAN1N1190R

Artikelnummer
JAN1N1190R
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Dioden - Gleichrichter - Einzeln
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Produktparameter

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Artikelnummer JAN1N1190R
Teilstatus Active
Dioden-Typ Standard, Reverse Polarity
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 35A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.4V @ 110A
Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr 10µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F -
Befestigungsart Chassis, Stud Mount
Paket / Fall DO-203AB, DO-5, Stud
Lieferantengerätepaket DO-5
Betriebstemperatur - Kreuzung -65°C ~ 175°C

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