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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | APT11GP60BDQBG |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 600V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 41A |
| Strom - Kollektorimpuls (Icm) | 45A |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 11A |
| Leistung max | 187W |
| Energie wechseln | 46µJ (on), 90µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Ladung | 40nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 7ns/29ns |
| Testbedingung | 400V, 11A, 5 Ohm, 15V |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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APT11F80B | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 | - | 0 | Einzelheiten |
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APT11F80S | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK | - | 0 | Einzelheiten |
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APT11GF120BRDQ1G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 25A 156W TO247 | 0 | Einzelheiten | |
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APT11GF120KRG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 25A 156W TO220 | 0 | Einzelheiten | |
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APT11GP60BDQBG | Microsemi Corporation | IGBT 600V 41A 187W TO247 | - | 23778 | Einzelheiten |
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APT11N80BC3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 | - | 91 | Einzelheiten |
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APT11N80KC3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 | - | 0 | Einzelheiten |