Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | APT10035JLL |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 1000V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 25A |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 186nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5185pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 520W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 350 mOhm @ 14A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Lieferantengerätepaket | ISOTOP® |
| Paket / Fall | SOT-227-4, miniBLOC |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT1001R1BN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD | 0 | Einzelheiten | |
|
APT1001RBN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD | 0 | Einzelheiten | |
 |
APT10021JFLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 | - | 0 | Einzelheiten |
 |
APT10021JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 | - | 14 | Einzelheiten |
|
APT1002RBNG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD | - | 0 | Einzelheiten |
 |
APT10035B2FLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX | - | 3 | Einzelheiten |
 |
APT10035B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX | - | 0 | Einzelheiten |
 |
APT10035JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 | - | 0 | Einzelheiten |
 |
APT10035LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264 | - | 7 | Einzelheiten |
 |
APT1003RBLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247 | - | 30 | Einzelheiten |
 |
APT1003RKLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220 | 0 | Einzelheiten | |
 |
APT10045B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX | - | 6 | Einzelheiten |