2N2609

JFETS
2N2609 P1
2N2609 P1
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Microsemi Corporation ~ 2N2609

Artikelnummer
2N2609
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
JFETS
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - JFETs
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Artikelnummer 2N2609
Teilstatus Active
FET Typ P-Channel
Spannungsabfall (V (BR) GSS) 30V
Drain auf Source-Spannung (Vdss) -
Strom - Abfluss (Idss) @ Vds (Vgs = 0) 2mA @ 5V
Stromabfluss (Id) - Max 10mA
Spannung - Abschaltung (VGS aus) @ Id 750mV @ 1A
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10pF @ 5V
Widerstand - RDS (Ein) -
Leistung max 300mW
Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Lieferantengerätepaket TO-18 (TO-206AA)

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