MT53B512M32D2DS-053 AAT:E

IC DRAM 16G 1866MHZ FBGA
MT53B512M32D2DS-053 AAT:E P1
MT53B512M32D2DS-053 AAT:E P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Micron Technology Inc. ~ MT53B512M32D2DS-053 AAT:E

Artikelnummer
MT53B512M32D2DS-053 AAT:E
Hersteller
Micron Technology Inc.
Beschreibung
IC DRAM 16G 1866MHZ FBGA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Speicher
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Artikelnummer MT53B512M32D2DS-053 AAT:E
Teilstatus Active
Speichertyp Volatile
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - Mobile LPDDR4
Speichergröße 16Gb (512M x 32)
Taktfrequenz 1866MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite -
Zugriffszeit -
Speicherschnittstelle -
Spannungsversorgung 1.1V
Betriebstemperatur -40°C ~ 105°C (TA)
Befestigungsart -
Paket / Fall -
Lieferantengerätepaket -

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