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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | IXRFSM18N50 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 500V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 19A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 340 mOhm @ 9.5A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 6.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2250pF @ 400V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 835W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 16-SMPD |
| Paket / Fall | 16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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