IXTH04N300P3HV

2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
IXTH04N300P3HV P1
IXTH04N300P3HV P1
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IXYS ~ IXTH04N300P3HV

Artikelnummer
IXTH04N300P3HV
Hersteller
IXYS
Beschreibung
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IXTH04N300P3HV
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 3000V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 400mA (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 283pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 104W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 190 Ohm @ 200mA, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247HV
Paket / Fall TO-247-3 Variant

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