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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SPU04N60C3BKMA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Not For New Designs |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 650V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 4.5A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 950 mOhm @ 2.8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 200µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 490pF @ 25V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 50W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO251-3 |
| Paket / Fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SPU04N60C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-251 | 1265 | Einzelheiten | |
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SPU04N60C3BKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-251 | - | 38290 | Einzelheiten |
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SPU04N60S5BKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-251 | 0 | Einzelheiten |