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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SPB18P06PGATMA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 18.7A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 13.2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 860pF @ 25V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 81.1W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D²PAK (TO-263AB) |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SPB18P06P | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK | - | 0 | Einzelheiten |
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SPB18P06P G | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263 | - | 1000 | Einzelheiten |
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SPB18P06PGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263 | - | 113589 | Einzelheiten |