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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SPA16N50C3XKSA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Not For New Designs |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 560V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 16A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 675µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 66nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 25V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 34W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO220-3 |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SPA16N50C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 16A TO220FP | - | 0 | Einzelheiten |
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SPA16N50C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 16A TO220FP | - | 34895 | Einzelheiten |