IRLB3036PBF

MOSFET N-CH 60V 195A TO-220AB
IRLB3036PBF P1
IRLB3036PBF P1
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Infineon Technologies ~ IRLB3036PBF

Artikelnummer
IRLB3036PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 195A TO-220AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IRLB3036PBF.pdf IRLB3036PBF PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IRLB3036PBF
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 195A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 140nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 11210pF @ 50V
Vgs (Max) ±16V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 380W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 2.4 mOhm @ 165A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Fall TO-220-3

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