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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | IPDD60R050G7XTMA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 47A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 15.9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 800µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 68nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2670pF @ 400V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 278W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-HDSOP-10-1 |
| Paket / Fall | 10-PowerSOP Module |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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IPDD60R050G7XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET NCH 650V 135A PG-HDSOP-10 | - | 11529 | Einzelheiten |
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IPDD60R080G7XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET NCH 650V 83A PG-HDSOP-10 | - | 17630 | Einzelheiten |
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IPDD60R190G7XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET NCH 650V 36A PG-HDSOP-10 | - | 44447 | Einzelheiten |