IPB65R065C7ATMA1

MOSFET N-CH TO263-3
IPB65R065C7ATMA1 P1
IPB65R065C7ATMA1 P1
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Infineon Technologies ~ IPB65R065C7ATMA1

Artikelnummer
IPB65R065C7ATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH TO263-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IPB65R065C7ATMA1
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 7.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 200µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 557pF @ 100V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 171W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 2.4A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Snap Clips
Lieferantengerätepaket PG-TO263
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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