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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | IPB034N06L3 G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 90A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 93µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 79nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 13000pF @ 30V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 167W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 3.4 mOhm @ 90A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO263-2 |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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IPB030N08N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7 | - | 11000 | Einzelheiten |
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IPB030N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7 | - | 34620 | Einzelheiten |
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IPB031N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V TO263-3 | 1000 | Einzelheiten | |
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IPB031NE7N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3 | - | 0 | Einzelheiten |
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IPB032N10N5ATMA1 | Infineon Technologies | DIFFERENTIATED MOSFETS | - | 0 | Einzelheiten |
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IPB033N10N5LFATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V D2PAK-3 | 0 | Einzelheiten | |
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IPB034N03L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A TO-263-3 | 0 | Einzelheiten | |
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IPB034N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A TO-263-3 | - | 82090 | Einzelheiten |
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IPB034N06L3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 | - | 2000 | Einzelheiten |
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IPB034N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 | - | 80568 | Einzelheiten |
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IPB034N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7 | 0 | Einzelheiten | |
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IPB035N08N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3 | - | 0 | Einzelheiten |