Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | IPA60R600P6XKSA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 4.9A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 2.4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 200µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 557pF @ 100V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 28W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO220-FP |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 16A TO-220FP | 0 | Einzelheiten | |
 |
IPA60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW | - | 0 | Einzelheiten |
|
IPA60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW | - | 0 | Einzelheiten |
 |
IPA60R099C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP | - | 9135 | Einzelheiten |
 |
IPA60R099C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP | - | 9096 | Einzelheiten |
 |
IPA60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | 0 | Einzelheiten | |
 |
IPA60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO220FP-3 | 24 | Einzelheiten | |
|
IPA60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW | - | 0 | Einzelheiten |
 |
IPA60R120C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP-3 | 0 | Einzelheiten | |
|
IPA60R120P7XKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW | - | 0 | Einzelheiten |
 |
IPA60R125C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 30A TO220-FP | - | 471 | Einzelheiten |
|
IPA60R125C6E8191XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO220-3 | - | 7021 | Einzelheiten |