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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | BTS113AE3064NKSA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 11.5A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 560pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 40W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 170 mOhm @ 5.8A, 4.5V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | P-TO220AB |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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BTS113AE3045ANTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB | 0 | Einzelheiten | |
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BTS113AE3064NKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB | - | 0 | Einzelheiten |
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BTS113ANKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB | 0 | Einzelheiten |