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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | BSZ340N08NS3GATMA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 80V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 6A (Ta), 23A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 34 mOhm @ 12A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 12µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 9.1nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 630pF @ 40V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2.1W (Ta), 32W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-TSDSON-8 |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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BSZ340N08NS3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 23A TSDSON-8 | 5000 | Einzelheiten | |
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BSZ340N08NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 23A TSDSON-8 | - | 272927 | Einzelheiten |