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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | BSZ105N04NSGATMA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 40V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta), 40A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 10.5 mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 14µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2.1W (Ta), 35W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-TSDSON-8 |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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BSZ105N04NS G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 | - | 30000 | Einzelheiten |
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BSZ105N04NSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 | - | 287147 | Einzelheiten |