BSZ0910NDXTMA1

DIFFERENTIATED MOSFETS
BSZ0910NDXTMA1 P1
BSZ0910NDXTMA1 P1
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Infineon Technologies ~ BSZ0910NDXTMA1

Artikelnummer
BSZ0910NDXTMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
DIFFERENTIATED MOSFETS
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Produktparameter

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Artikelnummer BSZ0910NDXTMA1
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 9.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 9.5 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 5.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 15V
Leistung max 1.9W (Ta), 31W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerVDFN
Lieferantengerätepaket PG-WISON-8

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