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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | BSO615CGHUMA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N and P-Channel |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3.1A, 2A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 3.1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 22.5nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 25V |
| Leistung max | 2W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | PG-DSO-8 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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BSO612CV | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8SOIC | 0 | Einzelheiten | |
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BSO612CVGHUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC | - | 0 | Einzelheiten |
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BSO613SPV | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO | - | 0 | Einzelheiten |
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BSO613SPV G | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO | - | 0 | Einzelheiten |
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BSO613SPVGHUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO | - | 143752 | Einzelheiten |
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BSO615C G | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC | - | 0 | Einzelheiten |
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BSO615CGHUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC | - | 144041 | Einzelheiten |
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BSO615CT | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC | 0 | Einzelheiten | |
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BSO615N | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC | 0 | Einzelheiten | |
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BSO615N G | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC | - | 0 | Einzelheiten |
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BSO615NGHUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC | - | 147724 | Einzelheiten |