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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | BSF030NE2LQ |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 25V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 24A (Ta), 75A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 12V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2.2W (Ta), 28W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 3 mOhm @ 30A, 10V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
| Paket / Fall | 3-WDSON |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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BSF024N03LT3GXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 106A 2WDSON | 0 | Einzelheiten | |
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BSF030NE2LQ | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 24A WDSON-2 | - | 5000 | Einzelheiten |
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BSF030NE2LQXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 24A WDSON-2 | - | 160033 | Einzelheiten |
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BSF035NE2LQXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 22A 2WDSON | 0 | Einzelheiten | |
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BSF045N03MQ3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 63A WDSON-2 | 0 | Einzelheiten | |
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BSF050N03LQ3GXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 60A 2WDSON | 0 | Einzelheiten | |
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BSF053N03LT G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON | 0 | Einzelheiten | |
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BSF077N06NT3GXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 13A WDSON-2 | 0 | Einzelheiten | |
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BSF083N03LQ G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 53A MG-WDSON-2 | 0 | Einzelheiten |