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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | BSC750N10NDGATMA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3.2A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 13A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 12µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 720pF @ 50V |
| Leistung max | 26W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
| Lieferantengerätepaket | PG-TDSON-8 Dual |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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BSC750N10ND G | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON | - | 0 | Einzelheiten |
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BSC750N10NDGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON | - | 104691 | Einzelheiten |