AIKW30N60CTXKSA1

IC DISCRETE 600V TO247-3
AIKW30N60CTXKSA1 P1
AIKW30N60CTXKSA1 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Infineon Technologies ~ AIKW30N60CTXKSA1

Artikelnummer
AIKW30N60CTXKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
IC DISCRETE 600V TO247-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
AIKW30N60CTXKSA1.pdf AIKW30N60CTXKSA1 PDF online browsing
Familie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
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Produktparameter

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Artikelnummer AIKW30N60CTXKSA1
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 60A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 90A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 30A
Leistung max 187W
Energie wechseln 690µJ (on), 770µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 167nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 23ns/254ns
Testbedingung 400V, 30A, 10.6 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Lieferantengerätepaket PG-TO247-3

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