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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | HTNFET-TC |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 55V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | - |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 100µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 4.3nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 28V |
| Vgs (Max) | 10V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 50W (Tj) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 100mA, 5V |
| Betriebstemperatur | - |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Paket / Fall | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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HTNFET-D | Honeywell Microelectronics & Precision Sensors | MOSFET N-CH 55V 8-DIP | - | 0 | Einzelheiten |
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HTNFET-DC | Honeywell Microelectronics & Precision Sensors | MOSFET N-CH 55V 8-DIP | - | 0 | Einzelheiten |
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HTNFET-T | Honeywell Microelectronics & Precision Sensors | MOSFET N-CH 55V 4-PIN | - | 3 | Einzelheiten |
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HTNFET-TC | Honeywell Microelectronics & Precision Sensors | MOSFET N-CH 55V 4-PIN | - | 0 | Einzelheiten |