RFD16N05

MOSFET N-CH 50V 16A I-PAK
RFD16N05 P1
RFD16N05 P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Fairchild/ON Semiconductor ~ RFD16N05

Artikelnummer
RFD16N05
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 50V 16A I-PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
RFD16N05.pdf RFD16N05 PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer RFD16N05
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 50V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 16A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 72W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 47 mOhm @ 16A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-251AA
Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Verwandte Produkte

Alle Produkte