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Fairchild/ON Semiconductor ~ FQP55N06

Artikelnummer	FQP55N06
Teilstatus	Obsolete
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	55A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	46nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1690pF @ 25V
Vgs (Max)	±25V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	133W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 27.5A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-220-3
Paket / Fall	TO-220-3

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	PDF	Auf Lager	Aussicht
FQP10N20	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 200V 10A TO-220		0	Einzelheiten
FQP10N20C	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220	-	1100	Einzelheiten
FQP10N20CTSTU	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220	-	0	Einzelheiten
FQP10N60C	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 9.5A TO-220		0	Einzelheiten
FQP11N40	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 400V 11.4A TO-220		0	Einzelheiten
FQP11N40C	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 400V 10.5A TO-220	-	734	Einzelheiten
FQP11N50CF	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 500V 11A TO-220		0	Einzelheiten
FQP11P06	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET P-CH 60V 11.4A TO-220	-	1172	Einzelheiten
FQP12N60	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 10.5A TO-220		0	Einzelheiten
FQP12N60C	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 12A TO-220	-	0	Einzelheiten
FQP12P10	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET P-CH 100V 11.5A TO-220	-	775	Einzelheiten
FQP12P20	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET P-CH 200V 11.5A TO-220	-	931	Einzelheiten