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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDS6680A

Artikelnummer	FDS6680A
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	12.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1620pF @ 15V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	2.5W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	9.5 mOhm @ 12.5A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	8-SO
Paket / Fall	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	PDF	Auf Lager	Aussicht
FDS2070N3	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC		0	Einzelheiten
FDS2070N7	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC		0	Einzelheiten
FDS2170N3	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 200V 3A 8-SOIC		0	Einzelheiten
FDS2170N7	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 200V 3A 8-SOIC		0	Einzelheiten
FDS2572	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-SOIC	-	22500	Einzelheiten
FDS2582	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC	-	10000	Einzelheiten
FDS2670	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 200V 3A 8-SO	-	2500	Einzelheiten
FDS2672	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC	-	5000	Einzelheiten
FDS2672-F085	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC	-	10418	Einzelheiten
FDS2672_F085	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC	-	52500	Einzelheiten
FDS2734	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 250V 3A 8-SOIC	-	10000	Einzelheiten
FDS3170N7	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 100V 6.7A 8-SOIC		0	Einzelheiten