FDMS86250

MOSFET N-CH 150V 6.7A 8-PQFN
FDMS86250 P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDMS86250

Artikelnummer
FDMS86250
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 6.7A 8-PQFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer FDMS86250
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 150V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 6.7A (Ta), 20A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2330pF @ 75V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 6.7A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-PQFN (5x6), Power56
Paket / Fall 8-PowerTDFN

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