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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | ZXMN6A08GQTC |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3.8A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 4.8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 5.8nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 459pF @ 40V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-223 |
| Paket / Fall | TO-261-4, TO-261AA |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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ZXMN0545FFTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 450V SOT23F-3 | - | 0 | Einzelheiten |
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ZXMN0545G4TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223 | - | 19000 | Einzelheiten |
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ZXMN10A07FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3 | - | 3000 | Einzelheiten |
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ZXMN10A07FTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3 | - | 0 | Einzelheiten |
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ZXMN10A07ZTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89 | - | 5000 | Einzelheiten |
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ZXMN10A08DN8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC | - | 0 | Einzelheiten |
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ZXMN10A08DN8TC | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC | - | 0 | Einzelheiten |
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ZXMN10A08E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6 | - | 0 | Einzelheiten |
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ZXMN10A08E6TC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23-6 | - | 0 | Einzelheiten |
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ZXMN10A08GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2A SOT223 | - | 106000 | Einzelheiten |
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ZXMN10A09KTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 5A DPAK | - | 0 | Einzelheiten |
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ZXMN10A11GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223 | 0 | Einzelheiten |