FMMTH10TC

TRANSISTOR RF NPN SOT23-3
FMMTH10TC P1
FMMTH10TC P2
FMMTH10TC P1
FMMTH10TC P2
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Diodes Incorporated ~ FMMTH10TC

Artikelnummer
FMMTH10TC
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
TRANSISTOR RF NPN SOT23-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - HF
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Produktparameter

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Artikelnummer FMMTH10TC
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 25V
Frequenz - Übergang 650MHz
Rauschzahl (dB Typ @ f) 3dB ~ 5dB @ 500MHz
Gewinnen -
Leistung max 330mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 4mA, 10V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 25mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket SOT-23-3

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