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Diodes Incorporated ~ DMTH4008LFDFW-13

Artikelnummer	DMTH4008LFDFW-13
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	40V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	11.6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	11.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	14.2nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1030pF @ 20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	990mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	U-DFN2020-6
Paket / Fall	6-UDFN Exposed Pad

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	PDF	Auf Lager	Aussicht
DMTH4004LK3-13	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 40V 100A TO252	-	0	Einzelheiten
DMTH4004LK3Q-13	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 40V 100A TO252	-	2500	Einzelheiten
DMTH4004LPS-13	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 40V 26A POWERDI	-	0	Einzelheiten
DMTH4004SCTB-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 31V 40V TO263 T&R	-	0	Einzelheiten
DMTH4004SCTBQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 40V 100A TO263	-	800	Einzelheiten
DMTH4004SK3-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 31V 40V TO252	-	0	Einzelheiten
DMTH4004SK3Q-13	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 40V 100A TO252	-	12500	Einzelheiten
DMTH4004SPS-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506	-	0	Einzelheiten
DMTH4004SPSQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 40V 31A PWRDI5060-8	-	0	Einzelheiten
DMTH4005SCT	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 40V 100A TO220AB	-	4450	Einzelheiten
DMTH4005SK3-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 40V 95A DPAK	-	0	Einzelheiten
DMTH4005SK3Q-13	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 40V 95A TO252	-	2500	Einzelheiten