DMN61D8LVT-7

MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
DMN61D8LVT-7 P1
DMN61D8LVT-7 P2
DMN61D8LVT-7 P1
DMN61D8LVT-7 P2
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Diodes Incorporated ~ DMN61D8LVT-7

Artikelnummer
DMN61D8LVT-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- DMN61D8LVT-7 PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer DMN61D8LVT-7
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 630mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 1.8 Ohm @ 150mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 0.74nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 12.9pF @ 12V
Leistung max 820mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Lieferantengerätepaket TSOT-26

Verwandte Produkte

Alle Produkte