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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | DMN5L06T-7 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 50V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 280mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 1.8V, 2.7V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 150mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 200mA, 2.7V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-523 |
| Paket / Fall | SOT-523 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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DMN5010VAK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563 | - | 0 | Einzelheiten |
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DMN5040LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 41V-60V SO-8 TR 2 | - | 352778 | Einzelheiten |
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DMN53D0L-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23 | - | 0 | Einzelheiten |
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DMN53D0L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23 | - | 12000 | Einzelheiten |
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DMN53D0LDW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363 | - | 0 | Einzelheiten |
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DMN53D0LDW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363 | - | 0 | Einzelheiten |
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DMN53D0LQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 50V 500MA SOT23 | - | 0 | Einzelheiten |
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DMN53D0LQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23 | - | 3000 | Einzelheiten |
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DMN53D0LW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 50V SOT323 | - | 0 | Einzelheiten |
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DMN53D0LW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323 | - | 0 | Einzelheiten |
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DMN53D0U-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 50V 0.3A SOT23 | - | 80000 | Einzelheiten |
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DMN53D0U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 50V 0.3A SOT23 | - | 0 | Einzelheiten |