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Diodes Incorporated ~ DMN3033LSNQ-7

Artikelnummer	DMN3033LSNQ-7
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	6A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	10.5nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	755pF @ 10V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	1.4W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	30 mOhm @ 6A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	SC-59
Paket / Fall	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	PDF	Auf Lager	Aussicht
DMN3005LK3-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L	-	0	Einzelheiten
DMN3007LSS-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC	-	0	Einzelheiten
DMN3007LSSQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8		0	Einzelheiten
DMN3008SCP10-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 25V 30V X4-DSN3415	-	1626000	Einzelheiten
DMN3008SFG-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI	-	0	Einzelheiten
DMN3008SFG-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI	-	0	Einzelheiten
DMN3008SFGQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI	-	0	Einzelheiten
DMN3008SFGQ-7	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI	-	0	Einzelheiten
DMN3009LFV-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333	-	326153	Einzelheiten
DMN3009LFV-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333	-	326153	Einzelheiten
DMN3009LFVW-13	Diodes Incorporated	MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8	-	239421	Einzelheiten
DMN3009LFVW-7	Diodes Incorporated	MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8	-	239421	Einzelheiten