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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | DMN2025UFDF-7 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 6.5A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 12.3nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 486pF @ 10V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 700mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | U-DFN2020-6 |
| Paket / Fall | 6-UDFN Exposed Pad |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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DMN2004DMK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26 | - | 168600 | Einzelheiten |
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DMN2004DWK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-363 | - | 3000 | Einzelheiten |
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DMN2004DWKQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2NCH 20V 540MA SOT363 | - | 0 | Einzelheiten |
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DMN2004K-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 0.63A SOT23-3 | - | 24000 | Einzelheiten |
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DMN2004TK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 0.54A SOT-523 | - | 0 | Einzelheiten |
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DMN2004VK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-563 | - | 3000 | Einzelheiten |
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DMN2004WK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 540MA SC70-3 | - | 15000 | Einzelheiten |
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DMN2004WKQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT323 | - | 225000 | Einzelheiten |
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DMN2005DLP4K-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN | - | 12000 | Einzelheiten |
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DMN2005K-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3 | - | 156000 | Einzelheiten |
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DMN2005LP4K-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN | - | 57000 | Einzelheiten |
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DMN2005LPK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 440MA 3-DFN | - | 6000 | Einzelheiten |