DMN13H750S-13

MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
DMN13H750S-13 P1
DMN13H750S-13 P2
DMN13H750S-13 P1
DMN13H750S-13 P2
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Diodes Incorporated ~ DMN13H750S-13

Artikelnummer
DMN13H750S-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer DMN13H750S-13
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 130V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 1A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 5.6nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 231pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 770mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 750 mOhm @ 2A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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