BSS127S-7

MOSFET N-CH 600V 0.05A SOT23
BSS127S-7 P1
BSS127S-7 P2
BSS127S-7 P1
BSS127S-7 P2
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Diodes Incorporated ~ BSS127S-7

Artikelnummer
BSS127S-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 0.05A SOT23
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer BSS127S-7
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 50mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 1.08nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 21.8pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 610mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 160 Ohm @ 16mA, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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