BFS17NQTA

TRANSISTOR RF NPN SOT23-3
BFS17NQTA P1
BFS17NQTA P1
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Diodes Incorporated ~ BFS17NQTA

Artikelnummer
BFS17NQTA
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
TRANSISTOR RF NPN SOT23-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - HF
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Produktparameter

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Artikelnummer BFS17NQTA
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 11V
Frequenz - Übergang 3.2GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f) -
Gewinnen -
Leistung max 310mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 5mA, 10V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 50mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket SOT-23

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