TN2640LG-G

MOSFET N-CH 400V 260MA 8SOIC
TN2640LG-G P1
TN2640LG-G P1
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Microchip Technology ~ TN2640LG-G

Artikelnummer
TN2640LG-G
Hersteller
Microchip Technology
Beschreibung
MOSFET N-CH 400V 260MA 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer TN2640LG-G
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 400V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 260mA (Tj)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 2mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 225pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1.3W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 5 Ohm @ 500mA, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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