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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | BLP8G05S-200GY |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Transistor-Typ | LDMOS (Dual), Common Source |
| Frequenz | 440MHz |
| Gewinnen | 21dB |
| Spannung - Test | 28V |
| Aktuelle Bewertung | - |
| Rauschzahl | - |
| Aktueller Test | 2mA |
| Leistung | 210W |
| Spannung - Bewertet | 65V |
| Paket / Fall | SOT-1204-2 |
| Lieferantengerätepaket | SOT1204-2 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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BLP8G05S-200GY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT12042 | 0 | Einzelheiten | |
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BLP8G05S-200Y | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT11382 | 100 | Einzelheiten | |
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BLP8G10S-270PWY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT12212 | 94 | Einzelheiten | |
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BLP8G10S-45PGJ | NXP USA Inc. | TRANS LDMOS 45W 4HSOP | 0 | Einzelheiten | |
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BLP8G10S-45PGY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20.8DB 4BESOP | 100 | Einzelheiten | |
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BLP8G10S-45PJ | NXP USA Inc. | TRANS LDMOS 45W 4HSOPF | 0 | Einzelheiten | |
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BLP8G10S-45PY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20.8DB SOT12231 | 0 | Einzelheiten | |
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BLP8G20S-80PY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12231 | 0 | Einzelheiten | |
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BLP8G21S-160PVY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12211 | 100 | Einzelheiten | |
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BLP8G27-10Z | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN | 0 | Einzelheiten | |
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BLP8G27-5Z | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB 16VDFN | 0 | Einzelheiten |