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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | AOTF286L |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 80V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 13.5A (Ta), 56A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.3V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3142pF @ 40V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2.2W (Ta), 37.5W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 20A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220-3F |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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AOT10B60D | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT 600V 20A 163W TO220 | 1722 | Einzelheiten | |
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AOT10B65M1 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT 650V 10A TO220 | 1000 | Einzelheiten | |
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AOT10B65M2 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT 650V 10A TO220 | 1000 | Einzelheiten | |
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AOT10N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 | 505 | Einzelheiten | |
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AOT10N60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO220 | 0 | Einzelheiten | |
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AOT10N60_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 | 0 | Einzelheiten | |
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AOT10N65 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 650V 10A TO220 | 0 | Einzelheiten | |
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AOT10T60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 | 0 | Einzelheiten | |
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AOT10T60P | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO220 | 0 | Einzelheiten | |
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AOT10T60PL | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 | 0 | Einzelheiten | |
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AOT1100L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 100V 8A TO220 | 0 | Einzelheiten | |
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AOT11C60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 11A TO220 | 0 | Einzelheiten |